[1]何野,庄庆德.多晶硅薄膜晶体管的模拟与分析[J].东南大学学报(自然科学版),1990,20(4):53-59.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1990.04.008]
 He Yie,Zhuang Qingde.Simulation and Analysis of Poly-Silicon Thin Film Transistor[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1990,20(4):53-59.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1990.04.008]
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多晶硅薄膜晶体管的模拟与分析()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
20
期数:
1990年第4期
页码:
53-59
栏目:
本刊信息
出版日期:
1990-07-20

文章信息/Info

Title:
Simulation and Analysis of Poly-Silicon Thin Film Transistor
作者:
何野庄庆德
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心
Author(s):
He Yie Zhuang Qingde
Microelectronics Center
关键词:
多晶 薄膜晶体管 模拟 分析
分类号:
+
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1990.04.008
摘要:
提出了一个晶粒间界的物理模型,以解释多晶硅薄膜晶体管(TFT)的低载流子迁移率和高阈值电压.研制了多晶硅 TFT 的分析软件包TFTNPE,它包括两维数值模拟器和模型参数提取软件,可以用于多晶硅薄膜器件的分析与设计.

相似文献/References:

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更新日期/Last Update: 2013-04-21