[1]黄庆安,吕世骥,童勤义.GaAs压电物性的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1991,21(2):16-21.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.02.003]
 Huang Qingan,Lu Shiji,Tong Qinyi.A Study of the Piezoelectric Properties of GaAs[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1991,21(2):16-21.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.02.003]
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GaAs压电物性的研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
21
期数:
1991年第2期
页码:
16-21
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1990-03-20

文章信息/Info

Title:
A Study of the Piezoelectric Properties of GaAs
作者:
黄庆安吕世骥童勤义
微电子中心; 微电子中心
Author(s):
Huang Qingan Lu Shiji Tong Qinyi
Microelectronics Center
关键词:
压电效应 砷化镓 传感器/集成GaAs器件
分类号:
TN304.23
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1991.02.003
摘要:
较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性.

相似文献/References:

[1]严蘋蘋,陈继新,洪伟.毫米波单片低噪声放大器的研制[J].东南大学学报(自然科学版),2010,40(3):449.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.2010.03.003]
 Yan Pinpin,Chen Jixin,Hong Wei.Design and implementation of monolithic millimeter wave low noise amplifiers[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),2010,40(2):449.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.2010.03.003]

更新日期/Last Update: 2013-04-20