[1]吕世骥,黄安庆,黄学良,等.SOI材料的场助键合技术[J].东南大学学报(自然科学版),1991,21(5):9-15.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.05.002]
 The Technology of Field-Assisted Bonding fot SOI Materials[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1991,21(5):9-15.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.05.002]
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SOI材料的场助键合技术()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
21
期数:
1991年第5期
页码:
9-15
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1990-09-20

文章信息/Info

Title:
The Technology of Field-Assisted Bonding fot SOI Materials
作者:
吕世骥黄安庆黄学良袁璟蔡跃明
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心; 南京通讯工程学院
关键词:
等离子体 表面处理/场助键合 SOI 材料
分类号:
TN304.054
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1991.05.002
摘要:
本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括Si/SiO2-SiO2/Si,Si-石英,GaAs-玻璃等的键合。利用各种检测手段对键合材料的键合面积、键合强度、界面形貌及电学特性进行了测试。文中还讨论了场助键合机理、等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例。

相似文献/References:

[1]吕世骥,蔡跃明,郭耀华.等离子体氮化SiO_2膜中电子陷阱的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1989,19(2):22.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1989.02.004]
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备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金
更新日期/Last Update: 2013-04-20