[1]黄庆安,吕世骥,童勤义.短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型[J].东南大学学报(自然科学版),1992,22(6):23-29.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.005]
 Huang Qingan,Lu Shiji,Tong Qinyi.Analytical Model for Ⅰ-Ⅴ Characteristics of Short-Channel GaAs MESFET’s with Ion Implantation Doping[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1992,22(6):23-29.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.005]
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短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
22
期数:
1992年第6期
页码:
23-29
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1992-11-20

文章信息/Info

Title:
Analytical Model for Ⅰ-Ⅴ Characteristics of Short-Channel GaAs MESFET’s with Ion Implantation Doping
作者:
黄庆安吕世骥童勤义
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心
Author(s):
Huang Qingan Lu Shiji Tong Qinyi
Microelectronics Center
关键词:
肖特基势垒栅场效应晶体管/离子注入 场效应晶体管模型
分类号:
TN386.6
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.005
摘要:
本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.
更新日期/Last Update: 2013-04-20