[1]高中林,汪开源,唐洁影.电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系[J].东南大学学报(自然科学版),1992,22(6):91-95.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.015]
 Gao Zhonglin,Wang Keiyuan,Tang Jieying.The Relation Between Broadening Parameter Γ of the Electrolyte Electroreflectance Spectra and Doping Concentration N[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1992,22(6):91-95.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.015]
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电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
22
期数:
1992年第6期
页码:
91-95
栏目:
本刊信息
出版日期:
1992-11-20

文章信息/Info

Title:
The Relation Between Broadening Parameter Γ of the Electrolyte Electroreflectance Spectra and Doping Concentration N
作者:
高中林汪开源唐洁影
东南大学电子工程系; 东南大学电子工程系
Author(s):
Gao Zhonglin Wang Keiyuan Tang Jieying
Departemnt of Electronic Engineering
关键词:
semiconductor material spectrascopy broadening doping concentration EER spectra
分类号:
+
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1992.06.015
摘要:
<正> 电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。
更新日期/Last Update: 2013-04-20