[1]肖志雄,郑茳,吴金,等.低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应[J].东南大学学报(自然科学版),1993,23(6):59-63.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.010]
 Xiao Zhixiong,Zheng Jiang,Wu Jin,et al.High-Injection Band-Gap Narrowing Effect of the Base in Silicon Bipolar Transistors at Low Temperatures[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1993,23(6):59-63.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.010]
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低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
23
期数:
1993年第6期
页码:
59-63
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1993-11-20

文章信息/Info

Title:
High-Injection Band-Gap Narrowing Effect of the Base in Silicon Bipolar Transistors at Low Temperatures
作者:
肖志雄郑茳吴金魏同立
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心
Author(s):
Xiao Zhixiong Zheng Jiang Wu Jin Wei Tongli
Microelectronics Center
关键词:
高注入 禁带变窄效应 低温
分类号:
TN322.8
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.010
摘要:
重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因,但是高注入也将引起禁带变窄效应,这一影响在低温下尤其明显.本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型,获得的计算值与实验结果相一致.

备注/Memo

备注/Memo:
国家自然辩学基金
更新日期/Last Update: 2013-04-20