[1]顾宁,鲁武,陆祖宏.光学刻蚀分辨率的极限[J].东南大学学报(自然科学版),1993,23(6):101-105.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.018]
 Gu Ning,Lu Wu,Lu Zuhong.Resolution Limitation in Lithophotography[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1993,23(6):101-105.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.018]
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光学刻蚀分辨率的极限()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
23
期数:
1993年第6期
页码:
101-105
栏目:
本刊信息
出版日期:
1993-11-20

文章信息/Info

Title:
Resolution Limitation in Lithophotography
作者:
顾宁鲁武陆祖宏
东南大学生物科学与医学工程系; 东南大学生物科学与医学工程系
Author(s):
Gu Ning Lu Wu Lu Zuhong
Department of Biology and Medical Engingeering
关键词:
lithophotography high resolution phase shifting technology/FELX:focus latitude enhancement exposure method
分类号:
+
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1993.06.018
摘要:
<正> 近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2~3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工技术(特别是刻蚀技术)的日益进步是推动这种发展的强大动力.在各种刻蚀技术中,当前在微电子工业中发挥重要作用的仍是光学刻蚀方法.
更新日期/Last Update: 2013-04-20