[1]黄流兴,魏同立.硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析[J].东南大学学报(自然科学版),1994,24(2):8-14.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1994.02.002]
 Huang Liuxing,Wei,Tongli.The Performance Analysis of Electrical Parameters for LowTemperature Pseudo Heterojunction Bipolar Transistors[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1994,24(2):8-14.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1994.02.002]
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
24
期数:
1994年第2期
页码:
8-14
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1994-03-20

文章信息/Info

Title:
The Performance Analysis of Electrical Parameters for LowTemperature Pseudo Heterojunction Bipolar Transistors
作者:
黄流兴魏同立
东南大学微电子中心
Author(s):
Huang Liuxing;Wei Tongli
Microelectronics Center, Southeast University, Nanjing 210018
关键词:
双极晶体管 截止频率 低温/赝异质结 电流增益 基区电阻
分类号:
TN322.8
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1994.02.002
摘要:
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。

备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金
更新日期/Last Update: 2013-04-19