[1]黄庆安.MOS反型层量子化效应的解析计算[J].东南大学学报(自然科学版),1994,24(5):38-41.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1994.05.007]
 Huang Qingan.Analytical Calculation of Quantum Effect in MOS Inversion Layer[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1994,24(5):38-41.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1994.05.007]
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MOS反型层量子化效应的解析计算()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
24
期数:
1994年第5期
页码:
38-41
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1994-09-20

文章信息/Info

Title:
Analytical Calculation of Quantum Effect in MOS Inversion Layer
作者:
黄庆安
东南大学微电子中心
Author(s):
Huang Qingan
Microelectronics Center, Southeast University, Nanjing 21 0018
关键词:
金属-氧化物-半导体系统 反型层 量子效应
分类号:
TN386.1
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1994.05.007
摘要:
根据三角形势场近似,给出了MOS反型层波函数的解析表达式,计算了量子化效应作用下反型层电子的空间分布,并与经典理论进行了比较。
更新日期/Last Update: 2013-04-19