[1]蒋明明,王蕴仪.GaAsMESFET在液氮温度下的S参数[J].东南大学学报(自然科学版),1995,25(1):8-11.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.002]
 Jiang Mingming,Wang,Yunyi.S-Parameter of GaAs MESFET at Liquid Nitrogen Temperatures[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1995,25(1):8-11.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.002]
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GaAsMESFET在液氮温度下的S参数()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
25
期数:
1995年第1期
页码:
8-11
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1995-01-20

文章信息/Info

Title:
S-Parameter of GaAs MESFET at Liquid Nitrogen Temperatures
作者:
蒋明明王蕴仪
东南大学无线电工程系
Author(s):
Jiang Mingming;Wang Yunyi
Department of Radio Engineering,Southeast University,Nanjing210018
关键词:
场效应晶体管 液氮温度 散射参量
分类号:
TN386.3
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.002
摘要:
本文提出一种从常温下的GaAsMESFET的S多数得到液氮温度下的S参数的方法。首先用给定的常温下S参数提取出等效电路参数,然后根据已有的实验观测结果得到各参数在液氮温度下的近似线性变化规律,最后得到液氮温度下的S参数,与文献结果相比一致性较好。

备注/Memo

备注/Memo:
国家超导中心资助项目。
更新日期/Last Update: 2013-04-15