[1]商陆民,汤金榜,周然,等.多晶硅薄膜晶体管特性的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1995,25(1):120-122.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.022]
 Shang Lumin,Tang,Jinbang,et al.The Investigation of Characteristics of Ploy-Silicon Thin Filin Transistor[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1995,25(1):120-122.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.022]
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多晶硅薄膜晶体管特性的研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
25
期数:
1995年第1期
页码:
120-122
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1995-01-20

文章信息/Info

Title:
The Investigation of Characteristics of Ploy-Silicon Thin Filin Transistor
作者:
商陆民汤金榜周然杨辉勋
东南大学电子工程系; 东南大学无线电工程系; 胜利油田
Author(s):
Shang Lumin;Tang Jinbang;Zhou Ran;Yang Huixun1 2 2 3 3
Department of Electronic Engincering ,Southeast University, Nanjing 210018
Department of Radio Engincering,Southeast University,Nanjing 210018
Shengli Oil Ficld,Dongying 257061.Shandong province
关键词:
threshold value voltage thin film transistor silicon ploy-silicon
分类号:
TN325.2
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1995.01.022
摘要:
多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民,汤金榜(东南大学电子工程系,南京210018)(东南大学无线电工程系,南京210018)周然,杨辉勋(东南大学电子工程系,南京210018)(胜利油田,山东省东营市257061)用于大屏幕显示的液晶的驱动方式,可以分..
更新日期/Last Update: 2013-04-15