[1]唐洁影,汪开源.合金散射机制与电子迁移率研究[J].东南大学学报(自然科学版),1995,25(3):130-133.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.03.026]
 Tang Jieyin,Wang Kaiyuan.Study on Scattering Mechanisms and ElectronMobility of In0.53Ga0. 47As Alloy[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1995,25(3):130-133.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.03.026]
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合金散射机制与电子迁移率研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
25
期数:
1995年第3期
页码:
130-133
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1995-05-20

文章信息/Info

Title:
Study on Scattering Mechanisms and ElectronMobility of In0.53Ga0. 47As Alloy
作者:
唐洁影汪开源
东南大学电子工程系
Author(s):
Tang Jieyin; Wang Kaiyuan
Department of Electronec Engineering, Southeast University, Nanjing 210018
关键词:
scattering mobility semiconductor materials Vandder Paul method/In(0.53)Ga(0. 47)As al-loy
分类号:
TN304.26
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1995.03.026
摘要:
合金散射机制与电子迁移率研究唐洁影,汪开源(东南大学电子工程系,南京210018)在外延生长的In(0.53)Ga(0.47)As合金中,电子迁移率是一个很重要的基本参数,它可用来表征材料的输运特性,通过时迁移率的研究,能够得到材料的载流子浓度、电阻..
更新日期/Last Update: 2013-04-15