[1]钱文生,李明祥,夏海良,等.GaAs/Si弹性形变及其应力的理论模型[J].东南大学学报(自然科学版),1995,25(6):136-139.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.025]
 Qian Wensheng,Li Mingxiang,et al.Theoretical Model of GaAs/Si Elastic Deformation and Stress[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1995,25(6):136-139.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.025]
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GaAs/Si弹性形变及其应力的理论模型()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
25
期数:
1995年第6期
页码:
136-139
栏目:
数学、物理学、力学
出版日期:
1995-11-20

文章信息/Info

Title:
Theoretical Model of GaAs/Si Elastic Deformation and Stress
作者:
钱文生李明祥夏海良魏同立
东南大学微电子中心
Author(s):
Qian Wensheng ;Li Mingxiang; Xia Hailiang;Wei Tongli
Microelectronics Center,Southeast University,Nanjing,210018
关键词:
elastic deformation stresses thin films
分类号:
O733
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.025
摘要:
GaAs/Si弹性形变及其应力的理论模型钱文生,李明祥,夏海良,魏同立(东南大学微电子中心南京,210018)在GaAs/Si技术中,始终存在3个主要问题,即晶格失配、热膨胀系数失配和反相畴的存在,这是阻碍GaAs/Si外延质量提高的重要因素,因为它..
更新日期/Last Update: 2013-04-19