[1]黄艺,沈楚玉.一种新的HEMT器件I-V特性解析模型[J].东南大学学报(自然科学版),1996,26(4):17-21.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1996.04.004]
 Huang Yi,Shen Chuyu.A Novel Analytical Current Voltage Characteristics Model for HEMT Devices[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1996,26(4):17-21.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1996.04.004]
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一种新的HEMT器件I-V特性解析模型()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
26
期数:
1996年第4期
页码:
17-21
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1996-07-20

文章信息/Info

Title:
A Novel Analytical Current Voltage Characteristics Model for HEMT Devices
作者:
黄艺沈楚玉
东南大学毫米波国家重点实验室
Author(s):
Huang Yi Shen Chuyu
State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 210018
关键词:
电流-电压特性 异质结场效应晶体管 速度过冲
分类号:
TN386.6
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1996.04.004
摘要:
提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件I-V特性解析模型.在非线性电荷控制模型的基础上,对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似,提出了一个半经验的速度过冲模型.经实际计算结果表明,本模型具有比较高的精度.

备注/Memo

备注/Memo:
国家“八五”攻关项目资助
更新日期/Last Update: 2013-04-14