[1]于宗光,魏同立,许居衍,等.改进的电压倍增器模型及其应用[J].东南大学学报(自然科学版),1997,27(1):82-86.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.01.017]
 Yu Zongguang Wei Tongli,Xu Juyan Wan Hongbin.Improved Voltage Multiplication Model and Its Application[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1997,27(1):82-86.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.01.017]
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改进的电压倍增器模型及其应用()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
27
期数:
1997年第1期
页码:
82-86
栏目:
电路与系统
出版日期:
1997-01-20

文章信息/Info

Title:
Improved Voltage Multiplication Model and Its Application
作者:
于宗光魏同立许居衍王鸿宾
东南大学电子系; 华晶集团中央研究所
Author(s):
Yu Zongguang Wei TongliXu Juyan Wan Hongbin
Microclectronic Center,Southeast Universiyty,Nanjing,210018
Central Institute,Huajing Electronic Group Corporation.,Wuxi,214035
关键词:
升压器 模拟/模型 电压倍增器
分类号:
TN402
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1997.01.017
摘要:
分析了Dickson电压倍增器模型的局限性,提出了适用于N阱硅栅CMOS工艺的电压倍增器模型.用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系.模型计算结果和SPICE模拟结果吻合良好.在考虑了电流驱动能力后,设计了实际的升压电路.

备注/Memo

备注/Memo:
江苏省青年科技基金
更新日期/Last Update: 2013-04-14