[1]赵杰,魏同立,张安康,等.硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO2 界面研究[J].东南大学学报(自然科学版),1997,27(4):38-43.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.04.007]
 Zhao Jie,Wei Tongli,Zhang Ankang,et al.Investigation of Poly Si/SiO 2 Interface in Polysilicon Gate MOS Structure[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1997,27(4):38-43.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.04.007]
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硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO2 界面研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
27
期数:
1997年第4期
页码:
38-43
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1997-07-20

文章信息/Info

Title:
Investigation of Poly Si/SiO 2 Interface in Polysilicon Gate MOS Structure
作者:
赵杰魏同立张安康赵梦碧
东南大学微电子中心; 中国华晶电子集团理化分析中心
Author(s):
Zhao Jie Wei Tongli Zhang Ankang Zhao Mengbi
Microeletronics Center, Southeast University, Nanjing 210018
Physicochemical Analysis Center, Huajing Electronics Corporation of China, Wuxi 214061
关键词:
俄歇电子谱法 次级离子质谱法 诱导期 流导 热载流子
分类号:
TN386.4
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1997.04.007
摘要:
利用俄歇电子能谱(AES)、二次离子质谱(SIMS)等表面分析手段,对硅栅MOS结构Poly-Si/SiO2界面进行分析,发现该界面不是突变的,存在着成份过渡区.根据多晶硅薄膜的成核理论,确定该过渡区形成的物理起源.利用Fowler-Nordheim隧道发射和“幸运电子”模型,定量分析过渡区对氧化层电导和器件热电子注入效应的影响.
更新日期/Last Update: 2013-04-14