[1]丁辛芳.Si3N4/SiO2 栅 pH-ISFET 传感器的设计与模型[J].东南大学学报(自然科学版),1997,27(6):103-108.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.06.020]
 Ding Xinfang.Design and Modelling of Si3N4/SiO2 Gate pHISFET Sensor[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1997,27(6):103-108.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1997.06.020]
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Si3N4/SiO2 栅 pH-ISFET 传感器的设计与模型()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
27
期数:
1997年第6期
页码:
103-108
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1997-11-20

文章信息/Info

Title:
Design and Modelling of Si3N4/SiO2 Gate pHISFET Sensor
作者:
丁辛芳
东南大学微电子中心
Author(s):
Ding Xinfang
Microelectronics Center, Southeast University, Nanjing 210018
关键词:
pH-ISFET传感器 表面基 敏感特性
分类号:
TN386.7
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1997.06.020
摘要:
提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线pH-ISFET传感器的新结构,实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离;基于SDB/SOI材料和硅微机械加工技术,研制成了集成pH-ISFET传感器;讨论了含两种类型表面基的Si3N4/SiO2绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Si3N4/SiO2栅pH-ISFET的敏感性能和稳定性的影响.对进一步改善pH-ISFET的敏感性能提供了一种实际的考虑..
更新日期/Last Update: 2013-04-14