[1]樊玉薇,李永祥,吴冲若.电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究[J].东南大学学报(自然科学版),1998,28(1):37-42.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.008]
 Fan Yuwei,Li Yongxiang,Wu Chongruo.Investigations on the ECALE and on the Underpotential Deposition of Te and Cd Elements[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1998,28(1):37-42.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.008]
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电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
28
期数:
1998年第1期
页码:
37-42
栏目:
出版日期:
1998-01-20

文章信息/Info

Title:
Investigations on the ECALE and on the Underpotential Deposition of Te and Cd Elements
作者:
樊玉薇 李永祥 吴冲若
东南大学电子工程系
Author(s):
Fan Yuwei Li Yongxiang Wu Chongruo
Department of Electronic Engineering, Southeast University, Nanjing 210096
关键词:
电化学原子层外延(ECALE) CdTe 欠电势沉积(UPD) UPD电位 交替沉积
分类号:
化学化工
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.008
摘要:
阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延(E CALE),并对其基础欠电势沉积(UPD)进行了讨论.着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Cd、Te的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Te与Cd在Si Au(111)基片上以及交替生长过程中UPD沉积电位及相应覆盖度值.由此确定了在Si Au(111)衬底上交替沉积Te、Cd原子层的方法.在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用AFM与AES研究了所得样品表面形貌与成分.

备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金
更新日期/Last Update: 2013-04-13