[1]崔国忠,王元明.三维半导体器件的 Vlasov-Poisson 模型[J].东南大学学报(自然科学版),1998,28(1):43-48.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.009]
 Cui Guozhong,Wang Yuanming.Three Dimensional Vlasov Poisson Model in Semiconductor[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1998,28(1):43-48.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.009]
点击复制

三维半导体器件的 Vlasov-Poisson 模型()
分享到:

《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
28
期数:
1998年第1期
页码:
43-48
栏目:
出版日期:
1998-01-20

文章信息/Info

Title:
Three Dimensional Vlasov Poisson Model in Semiconductor
作者:
崔国忠 王元明
东南大学应用数学系
Author(s):
Cui Guozhong Wang Yuanming
Department of Applied Mathematics, Southeast University, Nanjing 210096
关键词:
Vlasov-Poisson模型 Cauchy问题 存在性 唯一性 光滑解
分类号:
数学、物理学、力学
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1998.01.009
摘要:
利用迭代方法,结合上下解,证明三维半导体器件的Vlasov Poison模型的Cauchy问题在小初值下存在唯一的整体光滑解.

备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金
更新日期/Last Update: 2013-04-13