[1]廖小平,魏同立.AlGaAs/GaAs HBT E-M 模型直流参数的修正[J].东南大学学报(自然科学版),1998,28(4):24-28.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.04.005]
 Liao Xiaoping,Wei Tongli.Modification of DC Parameters in the AlGaAs/GaAs HBT E M Model[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1998,28(4):24-28.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.04.005]
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AlGaAs/GaAs HBT E-M 模型直流参数的修正()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
28
期数:
1998年第4期
页码:
24-28
栏目:
出版日期:
1998-07-20

文章信息/Info

Title:
Modification of DC Parameters in the AlGaAs/GaAs HBT E M Model
作者:
廖小平魏同立
东南大学微电子中心
Author(s):
Liao Xiaoping Wei Tongli
Microelectronics Center, Southeast University, Nanjing 210096
关键词:
E-M模型 直流参数 自热效应 HBT(异质结双极型晶体管)
分类号:
电子科学与工程
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1998.04.005
摘要:
在SiBJTE M模型基础上,对其直流参数进行了修正,使其适应于AlGaAs/GaAsHBT的直流特性:电流增益不是常量和自热效应.计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流时相当吻合,这一结果支持了HBT电路模拟.
更新日期/Last Update: 2013-04-13