[1]廖小平,魏同立.AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1998,28(6):34-39.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.06.007]
 Liao Xiaoping,Wei Tongli.Base Current in the AlGaAs/GaAs HBT[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1998,28(6):34-39.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1998.06.007]
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AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
28
期数:
1998年第6期
页码:
34-39
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1998-11-20

文章信息/Info

Title:
Base Current in the AlGaAs/GaAs HBT
作者:
廖小平魏同立
东南大学微电子中心
Author(s):
Liao Xiaoping Wei Tongli
Microelectronics Center,Southeast University, Nanjing 210096
关键词:
AlGaAs/GaAsHBT 空间电荷区 基区表面 复合电流
分类号:
TN325.3
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1998.06.007
摘要:
在AlGaAs/GaAsHBTE M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位.当BE结间外加电压为0.5~1.2V时,AlGaAs/GaAsHBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/f噪声特性.
更新日期/Last Update: 2013-04-13