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    关键词中包括 p-type lateral extended drain MOS 的文章

1 高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理
万维俊,刘斯扬,孙虎,孙伟锋
2012年第1期 [25-28][摘要](2617)[pdf 917KB](1153)
2 pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化
郑维山1,2,孙虎3,刘斯扬3,孙伟锋3
2011年第3期 [522-525][摘要](1486)[pdf 716KB](1172)