[1]郊茳,陈卫东,魏同立,等.77K硅双极晶体管HFE参数的原理与设计[J].东南大学学报(自然科学版),1991,21(1):65-70.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.01.010]
 Zheng Jiang,Chen Weidong,Wei Tongli,et al.Principle and Design of H_FE Parameter of Silicon Bipolar Transistors at 77K[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1991,21(1):65-70.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1991.01.010]
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77K硅双极晶体管HFE参数的原理与设计()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
21
期数:
1991年第1期
页码:
65-70
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1990-01-20

文章信息/Info

Title:
Principle and Design of H_FE Parameter of Silicon Bipolar Transistors at 77K
作者:
郊茳陈卫东魏同立孟江生
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心
Author(s):
Zheng Jiang Chen Weidong Wei Tongli Meng Jiangsheng
Microelectronics Center
关键词:
双极晶体管/77K 电流增益
分类号:
TN322.8
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1991.01.010
摘要:
分析了双极晶体管电流增益随温度下降而下降的机理,提出了低温下HFE与发射区杂质浓度NE的新关系,由此阐述了77K双极晶体管HFF参数的设计原理,理论分析和实验结果相一致。在上述基础上研制了一种适于液氮温度状态工作的非晶硅发射区晶体管.

相似文献/References:

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更新日期/Last Update: 2013-04-20