[1]刘卫东,魏同立,吴金,等.NMOSFET低温阈值特性的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1993,23(3):35-40.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.03.006]
 Liu Weidong,Wei Tongli,Wu Jin,et al.On the Low Temperature Threshold Behavior of NMOSFET’s[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1993,23(3):35-40.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1993.03.006]
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NMOSFET低温阈值特性的研究()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
23
期数:
1993年第3期
页码:
35-40
栏目:
本刊信息
出版日期:
1993-05-20

文章信息/Info

Title:
On the Low Temperature Threshold Behavior of NMOSFET’s
作者:
刘卫东魏同立吴金郑茳
东南大学微电子中心; 东南大学微电子中心
Author(s):
Liu Weidong Wei Tongli Wu Jin Zheng Jiang
Microelectronics Center
关键词:
MOS场效应晶体管 低温 阈值 冻析/低温阈值特性 衬底灵敏度 载流子冻析效应
分类号:
TN4
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1993.03.006
摘要:
本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一致,而且与器件的室温特性相比,77 K下器件的亚阈值和阈值电压特性以及衬底灵敏度均得到改善.基于这些结果,本文也给出了适于低温工作的增强型MOSFET的设计原则.

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备注/Memo

备注/Memo:
国家教委博士点基金
更新日期/Last Update: 2013-04-20