[1]吴敬文,陈浩,丁德胜,等.扫描隧道谱研究半导体硅掺杂[J].东南大学学报(自然科学版),1995,25(6):154-156.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.029]
 Wu Jingwen,ChenHao,Ding,et al.Study on Silicon Doping by Scanning Tunneling Spectroscoopy[J].Journal of Southeast University (Natural Science Edition),1995,25(6):154-156.[doi:10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.029]
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扫描隧道谱研究半导体硅掺杂()
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《东南大学学报(自然科学版)》[ISSN:1001-0505/CN:32-1178/N]

卷:
25
期数:
1995年第6期
页码:
154-156
栏目:
电子科学与工程
出版日期:
1995-11-20

文章信息/Info

Title:
Study on Silicon Doping by Scanning Tunneling Spectroscoopy
作者:
吴敬文陈浩丁德胜陆祖宏韦钰
东南大学生物医学工程系
Author(s):
Wu Jingwen;ChenHao;Ding Desheng;LuZhuhong;WeiYu
Department of Biomedical Engineering,Southeast University,Nanjing 210018
关键词:
ilicon electron states surface analysis
分类号:
TN304
DOI:
10.3969/j.issn.1001-0505.1995.06.029
摘要:
扫描隧道谱研究半导体硅掺杂吴敬文,陈浩,丁德胜,陆祖宏,韦钰(东南大学生物医学工程系南京210018)集成电路的集成度正以惊人的速度每年递增,目前,器件沟道尺寸在实验室中已达到0.07μm,预计在今后的几年里,0.1μm加工技术也将走向成熟。随着UL..
更新日期/Last Update: 2013-04-19